SK 海力士据悉与英特尔洽谈在美国生产存储芯片

英文原标题：SK Hynix reportedly in talks with Intel to build memory chips in US

本文为英文原文的机器翻译摘要，原文见：TechCrunch AI ↗

• 路透社援引匿名消息人士报道，韩国存储芯片巨头SK Hynix正与Intel洽谈，计划首次在美国本土生产RAM芯片。
• 双方讨论的选项之一，是SK Hynix租用Intel位于俄亥俄州规划中工厂的空间来制造芯片；此外还在考虑组建合资企业，可能引入云服务提供商。
• SK Hynix对TechCrunch表示，目前尚未敲定任何具体计划或安排，也未就报道中提到的两种方案做出决定。
• SK Hynix已在印第安纳州West Lafayette建设一座投资38亿美元的先进封装与AI芯片研发设施，预计2029年开始量产，该厂将使用韩国制造的DRAM晶圆封装成HBM芯片。
• 若交易达成，SK Hynix在俄亥俄州将生产何种存储芯片尚不清楚；报道称该计划可能因涉及战略性芯片技术而在韩国国内触发政府审查。

关键数据

• SK Hynix在印第安纳州West Lafayette的先进封装与研发设施投资38亿美元，预计2029年量产
• 2020年Intel以90亿美元将其NAND闪存业务出售给SK Hynix
• 白宫1月表示可能对半导体进口加征更广泛关税，同时为在美投资制造的企业提供关税减免
• SK Group董事长Chey Tae-won于7月表态支持在美国建厂，同月SK Hynix将其美国存托凭证在纳斯达克上市

为什么值得看：若SK Hynix与Intel的合作落地，将是其首次在美国生产RAM芯片，反映全球芯片短缺与关税压力下半导体产能向美国转移的趋势。